簡要(yao)描述:高溫(wen)沖(chong)(chong)擊(ji)實驗(yan)箱與低(di)溫(wen)沖(chong)(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)設備(bei)的相關(guan)功能可以溶合(he)在一(yi)起(qi)做(zuo)成一(yi)臺(tai)設備(bei),它(ta)就是(shi)高低(di)溫(wen)沖(chong)(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)設備(bei)。即是(shi)一(yi)臺(tai)可以單獨做(zuo)高溫(wen)沖(chong)(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)+單獨做(zuo)低(di)溫(wen)沖(chong)(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)+高低(di)溫(wen)交變沖(chong)(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)的設備(bei)。
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品牌 | 愛佩科技/A-PKJ | 價格區間 | 5萬-10萬 |
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產地類別 | 國產 | 應用領域 | 電子,汽車,綜合 |
高溫沖擊實驗箱與低溫(wen)沖(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)設(she)備的(de)相(xiang)關(guan)功(gong)能可(ke)以溶合(he)在(zai)一起做成(cheng)一臺設(she)備,它就是(shi)高(gao)低溫(wen)沖(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)設(she)備。即(ji)是(shi)一臺可(ke)以單獨做高(gao)溫(wen)沖(chong)擊(ji)試(shi)驗(yan)+單獨做低溫沖擊試驗+高低(di)溫(wen)交變沖(chong)擊試驗(yan)的(de)設(she)備。
高溫沖擊試驗(yan)設備(bei)|低溫沖(chong)擊試驗(yan)設備特點:
它們方便于在溫度瞬(shun)間變化對試品(pin)的性能和(he)品(pin)質作出評價(jia)。愛佩科技(ji)生(sheng)產的具有以(yi)下(xia)幾(ji)個基(ji)本特點:
A、試驗(yan)系統結(jie)構設計*合理(li),外殼(ke)采用進口激(ji)光(guang)加工(gong)而成,平整光(guang)滑(hua),制造工(gong)藝規范,外觀(guan)美觀(guan)、大方,給人(ren)帶來美(mei)感(gan),維(wei)護保養方便(bian)。
B、零部件的(de)配套與組裝匹配性好,主(zhu)要功能元(yuan)器(qi)件均采(cai)用(yong)具有*水平的(de)原裝國外進口件,提高了產品的(de)安(an)全性和可靠(kao)性,能保證用(yong)戶長(chang)時間、高頻率的(de)使(shi)用(yong)要求。
C、設備正常(chang)運行所(suo)需(xu)的(de)附帶條件已有配備,買方只需(xu)提供動力電力、試驗消耗品和(he)滿足要求(qiu)的(de)工作環境即可。
高溫沖擊實驗箱技術指(zhi)標
工作室尺寸:350×400×350(mm);500×400×400(mm);600×500×500(mm);700×600×600(mm)(W×H×D)
外(wai)形尺寸:以選擇每款工作(zuo)室尺寸的(de)實際外(wai)形尺寸為標準。
最高溫沖擊(ji)范圍: 150℃
低溫沖擊(ji)范圍: -65℃
高低(di)溫沖擊范圍(wei)有:-40℃~+150℃;-55℃~+150℃;-65℃~+150℃;
高溫室(shi)儲(chu)存最高溫度范圍: 60℃~+200℃;
低(di)溫(wen)室(shi)儲(chu)存低(di)溫(wen)度(du)范圍: 60℃~-75℃;
高溫(wen)室升溫(wen)時(shi)間:+20℃~+200℃約60分鐘(zhong)
低溫室降溫時(shi)間:+20℃~-75℃約100分(fen)鐘
溫度(du)恢復時間: 3~5min(最(zui)快(kuai)轉換時(shi)間在10秒鐘內可完成)
溫(wen)度(du)波動度(du):±0.5℃
溫度(du)偏差: ≤±2℃
高溫沖擊試驗設備|低(di)溫沖(chong)擊試驗(yan)設備安(an)全裝置:
配有:超溫保護;壓縮機(ji)超壓;過(guo)載(zai);過(guo)流保護;風機過載保護相(xiang)序保護,漏電保護(hu);
電源:AC380V50Hz
高溫沖擊試驗(yan)設備|低溫沖擊試(shi)驗設備主要用于電(dian)子電(dian)器(qi)零組件塑膠等(deng)行業,國(guo)防工(gong)業、兵工(gong)業、航天、BGA、PCB基扳(ban)、、自動化零部件、通訊(xun)組(zu)件、汽車(che)配(pei)件、金屬(shu)、化學材料、電(dian)子(zi)芯片(pian)IC、半導體陶(tao)磁(ci)、高(gao)分子材料之物理牲變化進行試驗(yan),可確(que)認(ren)產品在(zai)環境(jing)(jing)中突變的性能。用(yong)來測試材料結構或復合材料,在(zai)瞬間下(xia)經高溫(wen)及極低(di)溫(wen)的連續環境(jing)(jing)下(xia)所(suo)(suo)能忍受的程度(du),藉以在(zai)最短時間內試驗其(qi)熱脹(zhang)冷縮所(suo)(suo)引(yin)起的化學變化或物理(li)變化。
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